Детальный поиск

Отменить
Найденный: 3 Экземпляр 0.001 sn
- Вы можете использовать опцию И / ИЛИ / НЕ для критериев, которые вы хотите добавить или.
- Вы можете вернуться к обычному поиску, нажав кнопку Отмена.
Фильтры
Доступ к файлам

Рельефная запись на пленке серебра при прямом лазерном воздействии на слой аморфного кремния

Zamirgül KAZAKBAYEVA

В данной работе представлены результаты прямой лазерной записи на двухкомпонентной среде, состоящей из нанесенных методом магнетронного напыления слоев аморфного кремния и серебра на стеклянную подложку. Лазерное воздействие проводилась сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с длиной волны λ = 405 нм на слой аморфного кремния со стороны стеклянной подложки. На электронном микроскопе TESCAN VEGA 3 LMH исследовано формирование рельефа на пленке серебра при прямой записи импульсами полупроводникового лазера с λ = 405 нм на подслое а-Si.

Доступ к файлам

Трехмерная лазерная запись изображений на пленках аморфного кремния

Zamirgül KAZAKBAYEVA

Представлены результаты трехмерной лазерной записи изображений на пленках аморфного кремния интерференционного фильтра сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с λ= 405 nm. Прямая лазерная запись проводилась на пленки аморфного кремния толщиной ~1-3 мкм при изменении глубины фокуса записи в объеме регистрирующей среды. При локальном воздействии сфокусированным излучением на слой аморфного кремния наносекундными импульсами происходит его переход в кристаллическое состояние. За счет рассеяния света на оптических неоднородностях среды после лазерной записи и различной фаз ...Более

Доступ к файлам

Исследование прямой лазерной записи микрорельефа на двухслойной структуре А-SI/AG

Zamirgül KAZAKBAYEVA

В данной работе представлены результаты прямой лазерной записи на двухслойной структуре аморфный кремний/серебро, нанесенной на стеклянную подложку методом магнетронного напыления. Исследованы спектры поглощения пленок а-Si различной толщины и стеклянной подложки. Предложен метод прямой лазерной записи микроструктур сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с длиной волны λ= 405 нм на двухслойной среде а-Si/Ag со стороны стеклянной подложки. Исследовано формирование микрорельефа при прямой записи импульсами сфокусированного излучения полупроводникового лазера с λ = 405 ...Более

Наши обязательства и политика в отношении файлов cookie подпадает под действие закона ТР защите персональных данных № 6698.
Да

creativecommons
Bu site altında yer alan tüm kaynaklar Creative Commons Alıntı-GayriTicari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.
Platforms