В данной работе представлены результаты прямой лазерной записи на двухкомпонентной среде, состоящей из нанесенных методом магнетронного напыления слоев аморфного кремния и серебра на стеклянную подложку. Лазерное воздействие проводилась сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с длиной волны λ = 405 нм на слой аморфного кремния со стороны стеклянной подложки. На электронном микроскопе TESCAN VEGA 3 LMH исследовано формирование рельефа на пленке серебра при прямой записи импульсами полупроводникового лазера с λ = 405 нм на подслое а-Si.
Представлены результаты трехмерной лазерной записи изображений на пленках аморфного кремния интерференционного фильтра сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с λ= 405 nm. Прямая лазерная запись проводилась на пленки аморфного кремния толщиной ~1-3 мкм при изменении глубины фокуса записи в объеме регистрирующей среды. При локальном воздействии сфокусированным излучением на слой аморфного кремния наносекундными импульсами происходит его переход в кристаллическое состояние. За счет рассеяния света на оптических неоднородностях среды после лазерной записи и различной фаз ...Daha fazlası
В данной работе представлены результаты прямой лазерной записи на двухслойной структуре аморфный кремний/серебро, нанесенной на стеклянную подложку методом магнетронного напыления. Исследованы спектры поглощения пленок а-Si различной толщины и стеклянной подложки. Предложен метод прямой лазерной записи микроструктур сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с длиной волны λ= 405 нм на двухслойной среде а-Si/Ag со стороны стеклянной подложки. Исследовано формирование микрорельефа при прямой записи импульсами сфокусированного излучения полупроводникового лазера с λ = 405 ...Daha fazlası